Bạn đang tìm kiếm điều gì?
?
Máy HY-WT9530 được trang bị 2 trục chính ổ bi khí nén và 3 bàn kẹp hút chân không, phù hợp với các chất nền cứng, giòn có kích thước lên đến 8 inch. Người vận hành chỉ cần nạp khay chứa phôi bằng tay, trong khi máy tự động hoàn thành toàn bộ chu trình bao gồm mài thô/mài tinh, làm sạch và thu hồi phôi. Sau khi mài, độ dày TTV ≤ 1,5 μm đạt độ phẳng và độ nhám bề mặt tuyệt vời, thích hợp cho việc làm mỏng mặt sau của nhiều loại tấm bán dẫn khác nhau.
Thương hiệu :
HYRNUSMã số sản phẩm :
HY-WT9530Số lượng đặt hàng tối thiểu (MOQ) :
1 SetBảo hành :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceSự chi trả :
T/TThời gian giao hàng :
7-35 DaysNguồn gốc sản phẩm :
ChinaMáy mài wafer hoàn toàn tự động với trục chính ổ khí và bàn kẹp phôi.
Giới thiệu sản phẩm
HY-WT9530 Máy nghiền bánh wafer hoàn toàn tự động Máy được trang bị hai trục mài khí nén 9,5kW, ba trục mài khí nén cho phôi và bàn kẹp chân không xốp, có khả năng gia công các chất nền cứng giòn lên đến 8 inch, trong khi khả năng gia công phôi cơ học tối đa đạt Ø300mm. Người vận hành chỉ cần nạp khay phôi bằng tay; nhiều cánh tay robot tự động hoàn thành việc định vị, mài thô, mài tinh, làm sạch bằng ly tâm và dỡ phôi để sản xuất liên tục không cần người điều khiển. Trục Z của trục mài có hành trình 120mm với bước tiến tối thiểu 0,1μm để kiểm soát độ dày ổn định. Sau khi mài, TTV của wafer ≤1,5μm, độ lệch độ dày giữa các wafer ±3μm và độ nhám bề mặt Ra＜10nm, mang lại độ phẳng và độ hoàn thiện bề mặt vượt trội cho việc làm mỏng mặt sau của các loại wafer bán dẫn khác nhau.
Ứng dụng sản phẩm
Máy này xử lý các chất nền có đường kính lên đến Ø300mm bằng cơ học, và có thể xử lý các vật liệu siêu cứng, dễ vỡ như SiC, LN, LT và sapphire trong phạm vi 8 inch. Nó được sử dụng rộng rãi để làm mỏng mặt sau của các tấm bán dẫn một cách chính xác, phục vụ cho sản xuất hàng loạt các chất bán dẫn có dải năng lượng rộng và vật liệu quang điện tử.
Sơ đồ cấu trúc máy
Quy trình vận hành máy
| Bước chân | Các bước vận hành |
| 1 | Nạp thủ công các tấm wafer vào khay. |
| 2 | Cánh tay robot lấy các tấm bán dẫn từ khay chứa và chuyển chúng đến giai đoạn căn chỉnh. |
| 3 | Cánh tay T1 hút các tấm bán dẫn từ bàn căn chỉnh và đặt chúng lên bàn kẹp. |
| 4 | Các tấm wafer trải qua quá trình mài thô Z2 và mài tinh Z1; Cánh tay T2 chuyển các tấm wafer từ bàn kẹp đến trạm làm sạch quay. |
| 5 | Cánh tay robot nhặt các tấm bán dẫn từ trạm làm sạch bằng phương pháp quay ly tâm và đặt chúng trở lại khay để lặp lại toàn bộ quy trình. |
Thông số kỹ thuật
| KHÔNG. | Mục | Tham số |
| 1 | Kích thước phôi tối đa | Đường kính 300 mm |
| 2 | Trục mài ổ trục khí | Số lượng: 2 |
| Công suất: 9,5 kW | ||
| Tốc độ: 1000~4000 vòng/phút | ||
| 3 | Trục chính ổ khí của phôi | Số lượng: 3 |
| Tốc độ: 10~300 vòng/phút | ||
| 4 | Mài trục Z | Hành trình: 120 mm |
| Tốc độ cấp liệu khi mài: 0,0001~0,08 mm/s | ||
| Bước cấp liệu tối thiểu: 0,1μm | ||
| 5 | Phương pháp giữ | Bàn kẹp chân không xốp |
| 6 | TTV sau khi mài | 1,5μm |
| 7 | Độ lệch độ dày giữa các tấm wafer sau khi mài | ±3μm |
| 8 | Độ nhám bề mặt sau khi mài mịn | Ra＜10 nm |
| 9 | Kích thước tổng thể | 1430×3300×1900 mm |
| 10 | Trọng lượng máy | 5000kg |
Khung chính
| KHÔNG. | Mục | Sự miêu tả |
| 1 | Khung | Khung dưới: Khung đỡ bằng ống vuông 50×100mm hàn (Tiêu chuẩn) |
| Khung trên: Thanh nhôm định hình 30×60 | ||
| 2 | Tấm che | Tấm thép cán nguội phủ lớp nhựa bề mặt (Tiêu chuẩn) |
| 3 | Các thành phần cấu trúc | Thép 45# mạ crom, hợp kim nhôm oxy hóa anot |
| 4 | Nguồn điện | Điện áp 3 pha, 380 V, 50 Hz |
| 5 | Cung cấp không khí | ≥0,5 MPa, 400 L/phút |
Chi tiết sản phẩm
Được trang bị hai trục chính ổ bi khí nén 9,5kW và 3 bàn kẹp phôi giúp giảm rung động cực thấp. Máy đạt được độ dày TTV sau mài ≤1,5μm, độ lệch độ dày giữa các tấm wafer ±3μm và độ nhám bề mặt Ra＜10nm, giúp giảm đáng kể tỷ lệ sứt mẻ của chất nền SiC.
Máy hỗ trợ xử lý các chất nền SiC, LN, LT và sapphire có kích thước lên đến 8 inch, tương thích với các tấm silicon, gốm sứ và chất nền LED. Có thể lưu các công thức quy trình mài tùy chỉnh trong hệ thống.
Trục Z có bước dịch chuyển tối thiểu 0,1μm để làm mỏng các tấm wafer silicon siêu mỏng. Nó duy trì khả năng kiểm soát độ dày ổn định trên các vật liệu cứng và giòn như SiC mà không gây hư hại sâu bên trong bề mặt.
Trục chính sử dụng ổ đỡ khí và đá mài do công ty tự phát triển. Các bộ phận chính sử dụng các thương hiệu hàng đầu như Tokyo Seimitsu, Mitsubishi, THK, SMC và Schneider. Phụ tùng thay thế tiêu chuẩn luôn có sẵn để dễ dàng bảo trì hàng ngày.
Máy HY-WT9330 được trang bị một trục mài ổ bi khí và hai trục phôi ổ bi khí. Máy có thể gia công nhiều loại vật liệu nền siêu cứng, giòn và khó mài có kích thước lên đến 12 inch, cho phép mài gương hiệu quả cao, không gây hư hại và cực kỳ chính xác với độ chính xác độ dày vượt trội, phù hợp với quy trình làm mỏng mặt sau của tất cả các loại wafer chip.
Máy HY-WT9730 hỗ trợ các tấm wafer có kích thước lên đến 12 inch. Được trang bị 3 trục mài có ổ trục khí và 4 trục gia công có ổ trục khí, máy tích hợp các quy trình mài thô, mài tinh và đánh bóng. Quy trình làm việc hoàn toàn tự động bằng robot thực hiện việc chuyển phôi, xử lý, làm sạch và dỡ phôi; chỉ cần cấp phôi thủ công là đủ. Hệ thống cấp phôi trục Z siêu chính xác mang lại độ phẳng phôi vượt trội và khả năng đánh bóng gương không gây hư hại, trong khi khung máy chắc chắn đảm bảo sản xuất hàng loạt ổn định.
Máy HY-WT9230 được phát triển dành cho các vật liệu bán dẫn siêu cứng, dễ vỡ có kích thước lên đến 12 inch. Được chế tạo với trục chính ổ bi khí kép và trục Z mài chính xác cao, máy hỗ trợ làm mỏng gương hoàn toàn tự động với hiệu quả cao và xử lý không gây hư hại. Được trang bị mâm cặp hút chân không xốp và điều khiển cấp liệu siêu mịn, máy đảm bảo độ phẳng và độ đồng nhất độ dày vượt trội cho các quy trình làm mỏng tấm bán dẫn.
HY-IS1000 là thiết bị cắt và mài phôi SiC hai trạm, kết hợp quy trình chỉnh sửa bằng laser và tách lớp wafer. Thiết bị sử dụng laser xung cực ngắn để tạo ra các lớp chỉnh sửa bên trong phôi SiC, giúp tách wafer không để lại vết cưa, mang lại năng suất cao với TTV wafer đã mài ≤1,1 μm. Đây là thiết bị sản xuất hàng loạt thiết yếu cho việc sản xuất chất nền bán dẫn thế hệ thứ ba.
HY-WC615 máy vát mép wafer hai mặt Được trang bị mô-đun định vị bằng camera CCD và đo độ dày trực tuyến, các linh kiện cơ khí cốt lõi tự phát triển và hệ thống nạp/dỡ tự động hoàn toàn, mang lại độ chính xác gia công vượt trội và thao tác cảm ứng thân thiện với người dùng cho quá trình vát mép wafer.
Máy HY-ST3005 xử lý các chất nền bán dẫn cứng, giòn có kích thước từ 4 đến 12 inch để làm mỏng mặt sau với độ chính xác cao. Được nâng cấp liên tục để đạt độ chính xác vượt trội và độ ổn định lâu dài, máy sở hữu các cụm lõi cao cấp (trục mài ổ trục khí thủy tĩnh, trục chính cắt wafer độ chính xác cao, bàn xoay đường kính lớn độ cứng cao) và mức độ tự động hóa cao để sản xuất hàng loạt wafer silicon và bán dẫn hợp chất.
Máy HY-ST3002 xử lý các tấm wafer có kích thước từ 4 đến 12 inch để làm mỏng và mài chính xác các chất bán dẫn cứng và giòn. Được nâng cấp hoàn toàn với các quy trình tiên tiến, máy có độ chính xác cao hơn và hiệu suất hoạt động ổn định lâu dài, với kiến trúc làm mỏng tự động được cải tiến và các bộ phận chính cao cấp: trục mài ổ trục khí thủy tĩnh, trục giữ wafer ổ trục khí thủy tĩnh, bàn xoay đường kính lớn độ cứng cao.
để lại lời nhắn
Quét mã để gửi đến WeChat :
Quét để gửi qua WhatsApp :
