Bạn đang tìm kiếm điều gì?
?
Máy HY-WT9230 được phát triển dành cho các vật liệu bán dẫn siêu cứng, dễ vỡ có kích thước lên đến 12 inch. Được chế tạo với trục chính ổ bi khí kép và trục Z mài chính xác cao, máy hỗ trợ làm mỏng gương hoàn toàn tự động với hiệu quả cao và xử lý không gây hư hại. Được trang bị mâm cặp hút chân không xốp và điều khiển cấp liệu siêu mịn, máy đảm bảo độ phẳng và độ đồng nhất độ dày vượt trội cho các quy trình làm mỏng tấm bán dẫn.
Thương hiệu :
HYRNUSMã số sản phẩm :
HY-WT9230Số lượng đặt hàng tối thiểu (MOQ) :
1 SetBảo hành :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceSự chi trả :
T/TThời gian giao hàng :
7-35 DaysNguồn gốc sản phẩm :
ChinaMáy làm mỏng tấm bán dẫn cho vật liệu bán dẫn cứng và giòn
Giới thiệu sản phẩm
HY-WT9230 Máy làm mỏng tấm waferMáy này phù hợp với nhiều loại vật liệu bán dẫn siêu cứng, dễ vỡ có đường kính lên đến 12 inch. Được trang bị trục chính kép sử dụng ổ bi khí và trục Z mài chính xác cao, máy thực hiện quá trình làm mỏng gương hoàn toàn tự động với hiệu suất cao, không gây hư hại cho phôi và độ đồng đều độ dày tuyệt vời.
Máy sử dụng mâm cặp chân không bằng gốm xốp để giữ ổn định các tấm wafer. Nó đạt được tốc độ cấp liệu tối thiểu 0,1 μm, TTV sau mài nhỏ hơn 3,0 μm và độ nhám bề mặt Ra＜10 nm sau khi mài mịn bằng đá mài 8000#.
Sơ đồ cấu trúc máy
Quy trình vận hành máy
| Bước chân | Các bước vận hành |
| 1 | Đặt tấm wafer lên mâm kẹp gốm bằng tay để hệ thống tự động hút. |
| 2 | Cơ cấu truyền động điều khiển trục chính của phôi đến trạm mài. |
| 3 | Bộ phận mài tự động sẽ mài tấm bán dẫn xuống độ dày yêu cầu. |
| 4 | Cơ cấu vận chuyển sẽ đưa tấm wafer đã được mài đến trạm xếp dỡ. |
| 5 | Lấy tấm wafer đã qua xử lý ra bằng tay. |
Thông số kỹ thuật
| Mục | Thông số |
| Phạm vi kích thước phôi | Kích thước tối đa có thể gia công: Ø300mm |
| Trục chính ổ bi khí nén của đá mài | Số lượng: 1 |
| Công suất trục chính: 11.0KW | |
| Tốc độ trục chính: 1000~4000 vòng/phút | |
| Trục chính ổ khí của phôi | Số lượng: 1 |
| Tốc độ trục chính: 10~300 vòng/phút | |
| Mài trục Z | Hành trình: 120mm |
| Tốc độ cấp phôi mài: 0,0001~0,08 mm/s | |
| Bước tăng tối thiểu: 0,1μm | |
| Phương pháp kẹp | Mâm cặp chân không xốp |
| TTV sau khi mài | ＜3,0μm |
| Độ lệch độ dày giữa các tấm wafer sau khi mài | ±3μm |
| Độ nhám bề mặt sau khi mài mịn | Ra＜10nm (đá mài 8000#) |
Khung chính
| KHÔNG. | Mục | Thông số kỹ thuật |
| 1 | Khung | Khung dưới: Gang đúc (cấu hình tiêu chuẩn) |
| Khung trên: Thanh nhôm định hình 30×60 | ||
| 2 | Tấm che | Tấm thép cán nguội phủ lớp nhựa RAL9003 trên bề mặt (cấu hình tiêu chuẩn) |
| 3 | Các bộ phận cấu trúc | Thép 45# với bề mặt mạ crom, hợp kim nhôm anot hóa và thép không gỉ. |
| 4 | Nguồn điện | Điện áp ba pha 380 V, tần số 50 Hz |
| 5 | Nguồn không khí | ≥0,5 MPa (dao động) ＜0,03 MPa), 150 L/phút |
| 6 | Nguồn nước | Áp suất: 0,2–0,3 MPa |
| Lưu lượng: ＞20 L/phút | ||
| Nhiệt độ: Nhiệt độ môi trường +2℃ (biến động ±1)℃) | ||
| 7 | Mức tiêu thụ điện năng | Khởi động: 4 kW; Xay: 8 kW |
Chi tiết sản phẩm
Máy HY-WT9330 được trang bị một trục mài ổ bi khí và hai trục phôi ổ bi khí. Máy có thể gia công nhiều loại vật liệu nền siêu cứng, giòn và khó mài có kích thước lên đến 12 inch, cho phép mài gương hiệu quả cao, không gây hư hại và cực kỳ chính xác với độ chính xác độ dày vượt trội, phù hợp với quy trình làm mỏng mặt sau của tất cả các loại wafer chip.
Máy HY-WT9530 được trang bị 2 trục chính ổ bi khí nén và 3 bàn kẹp hút chân không, phù hợp với các chất nền cứng, giòn có kích thước lên đến 8 inch. Người vận hành chỉ cần nạp khay chứa phôi bằng tay, trong khi máy tự động hoàn thành toàn bộ chu trình bao gồm mài thô/mài tinh, làm sạch và thu hồi phôi. Sau khi mài, độ dày TTV ≤ 1,5 μm đạt độ phẳng và độ nhám bề mặt tuyệt vời, thích hợp cho việc làm mỏng mặt sau của nhiều loại tấm bán dẫn khác nhau.
Máy HY-WT9730 hỗ trợ các tấm wafer có kích thước lên đến 12 inch. Được trang bị 3 trục mài có ổ trục khí và 4 trục gia công có ổ trục khí, máy tích hợp các quy trình mài thô, mài tinh và đánh bóng. Quy trình làm việc hoàn toàn tự động bằng robot thực hiện việc chuyển phôi, xử lý, làm sạch và dỡ phôi; chỉ cần cấp phôi thủ công là đủ. Hệ thống cấp phôi trục Z siêu chính xác mang lại độ phẳng phôi vượt trội và khả năng đánh bóng gương không gây hư hại, trong khi khung máy chắc chắn đảm bảo sản xuất hàng loạt ổn định.
HY-IS1000 là thiết bị cắt và mài phôi SiC hai trạm, kết hợp quy trình chỉnh sửa bằng laser và tách lớp wafer. Thiết bị sử dụng laser xung cực ngắn để tạo ra các lớp chỉnh sửa bên trong phôi SiC, giúp tách wafer không để lại vết cưa, mang lại năng suất cao với TTV wafer đã mài ≤1,1 μm. Đây là thiết bị sản xuất hàng loạt thiết yếu cho việc sản xuất chất nền bán dẫn thế hệ thứ ba.
HY-WC615 máy vát mép wafer hai mặt Được trang bị mô-đun định vị bằng camera CCD và đo độ dày trực tuyến, các linh kiện cơ khí cốt lõi tự phát triển và hệ thống nạp/dỡ tự động hoàn toàn, mang lại độ chính xác gia công vượt trội và thao tác cảm ứng thân thiện với người dùng cho quá trình vát mép wafer.
Máy HY-ST3005 xử lý các chất nền bán dẫn cứng, giòn có kích thước từ 4 đến 12 inch để làm mỏng mặt sau với độ chính xác cao. Được nâng cấp liên tục để đạt độ chính xác vượt trội và độ ổn định lâu dài, máy sở hữu các cụm lõi cao cấp (trục mài ổ trục khí thủy tĩnh, trục chính cắt wafer độ chính xác cao, bàn xoay đường kính lớn độ cứng cao) và mức độ tự động hóa cao để sản xuất hàng loạt wafer silicon và bán dẫn hợp chất.
Máy HY-ST3002 xử lý các tấm wafer có kích thước từ 4 đến 12 inch để làm mỏng và mài chính xác các chất bán dẫn cứng và giòn. Được nâng cấp hoàn toàn với các quy trình tiên tiến, máy có độ chính xác cao hơn và hiệu suất hoạt động ổn định lâu dài, với kiến trúc làm mỏng tự động được cải tiến và các bộ phận chính cao cấp: trục mài ổ trục khí thủy tĩnh, trục giữ wafer ổ trục khí thủy tĩnh, bàn xoay đường kính lớn độ cứng cao.
để lại lời nhắn
Quét mã để gửi đến WeChat :
Quét để gửi qua WhatsApp :
