Máy làm sạch plasma phun trực tiếp khí quyển dùng cho xử lý bề mặt trước khi đóng gói IC và kích hoạt bề mặt.

Giới thiệu sản phẩm

HY-AD03 Khí quyển Trực tiếp Máy làm sạch bằng tia plasma Đây là máy xử lý bề mặt plasma khí quyển dùng để làm sạch, kích hoạt và biến đổi phôi. Với diện tích xử lý nhỏ gọn và năng lượng tập trung, máy tối ưu hóa độ bám dính, khả năng hút nước và khả năng in ấn của chất nền bán dẫn, đồng thời loại bỏ cặn hữu cơ, vết dầu mỡ và lớp oxit mà không làm hỏng các chip chính xác.

Được thiết kế với phần cứng đạt chuẩn quân sự, hoạt động trong dải nhiệt độ từ -25℃ đến 50℃, thiết bị này cung cấp thời gian hoạt động trung bình giữa các lần hỏng hóc (MTBF) là 190.000 giờ ở 25℃ theo tiêu chuẩn MIL-HDBK-217F, phù hợp với các điều kiện sản xuất khắc nghiệt. Được trang bị chip ST ARM, phần mềm tự phát triển của thiết bị này cho phép tự động điều chỉnh công suất, giám sát dữ liệu đa chiều theo thời gian thực và giao tiếp kép analog/RS485. Khả năng điều khiển kép tại chỗ và từ xa giúp tích hợp liền mạch vào các dây chuyền đóng gói IC tự động.

Ứng dụng sản phẩm

Tính năng sản phẩm

1. Thiết kế phần cứng đạt tiêu chuẩn quân sự với phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng từ -25℃ đến 50℃. Tuân thủ tiêu chuẩn MIL-HDBK-217F, MTBF (Thời gian trung bình giữa các lần hỏng hóc) đạt ≥190.000 giờ ở 25℃, phù hợp với nhiều môi trường sản xuất khắc nghiệt.

2. Hệ thống điều khiển kỹ thuật số với màn hình hiển thị để giám sát thời gian thực và khả năng chống nhiễu mạnh mẽ.

3. Được trang bị chip ST ARM, thiết bị hỗ trợ gỡ lỗi và giao tiếp từ xa, tích hợp liền mạch vào nhiều dây chuyền sản xuất khác nhau. Phần mềm thông minh tự phát triển cho phép tự động điều chỉnh công suất để hoạt động ổn định.

4. Hỗ trợ giao diện truyền thông analog và giao tiếp từ xa RS485.

5. Phát hiện đa chiều theo thời gian thực: nhiệt độ, áp suất không khí, điện áp hồ quang máy biến áp, dòng điện đỉnh sơ cấp máy biến áp và dòng điện lưới.

6. Chức năng bảo vệ toàn diện: bảo vệ quá nhiệt, quá tải, ngắn mạch, hở mạch, rò rỉ điện và thao tác sai.

Sơ đồ kích thước sản phẩm

 

 

Thông số kỹ thuật

 

Mục	Tham số
Tên sản phẩm	Máy làm sạch plasma phun trực tiếp khí quyển
Mã số sản phẩm	HY-AD03
Phạm vi công suất đầu ra	Công suất 300~1200W (có thể điều chỉnh), điều khiển công suất chính xác với độ ổn định vượt trội.
Chiều rộng điều trị	2–10 mm
Chiều cao điều trị	5–15 mm
Tốc độ xử lý	10–300 mm/s
Tiêu thụ không khí	50 L/phút @ 0,1MPa; 85 L/phút @ 0,2MPa
Chiều dài cáp điện cao áp	3,5 m
Độ chính xác công suất đầu ra	±1%
Loại điều khiển	Điều khiển kỹ thuật số
Kích thước tổng thể	WDChiều cao: 244mm479mm310mm
Trọng lượng đèn pin	2 kg
Trọng lượng máy	20 kg
Nguồn điện đầu vào	220VAC±20%, 50–60Hz
Chế độ điều khiển hoạt động	Điều khiển tại chỗ và điều khiển từ xa
Giao diện liên lạc từ xa	Giao diện tín hiệu tương tự, giao tiếp từ xa RS485
Hệ số công suất	95%
Phạm vi áp suất không khí đầu vào	0,4MPa ~ 0,6MPa, dung sai ±20%
Phạm vi áp suất khí đầu ra	0,1MPa ~ 0,2MPa, dung sai ±20%
Thiết kế bo mạch nguồn	Mô đun hóa
Hiệu suất chống nhiễu	Xuất sắc
Các mục giám sát dữ liệu	Áp suất không khí, nhiệt độ bo mạch chủ, điện áp hồ quang biến áp, dòng điện hoạt động, điện áp hoạt động, công suất thực tế, công suất tiêu thụ, tần số hoạt động, hệ số công suất
Các loại lỗi báo động	Ngắn mạch, hở mạch, quá nhiệt, lỗi áp suất khí, quá dòng hệ thống, điện áp hệ thống thấp, điện áp hệ thống cao, hở mạch đầu ra cao áp, ngắn mạch đầu ra cao áp, lỗi đầu vào AC, bất thường ở mỏ hàn
Chế độ thông báo báo động	Chuông báo động + nhắc nhở bật lên trên màn hình cảm ứng

 

Thông số kỹ thuật tiện ích của nhà máy

 

Mục	Yêu cầu
Thông số kỹ thuật nguồn điện AC	Nguồn điện: AC một pha 220V, 50/60Hz, 11A; Điện trở nối đất nhỏ hơn 4 Ω
Hệ thống ống xả của nhà máy	Lưu lượng: 5 m³/phút
	Vật liệu: Vật liệu chống ăn mòn
Nhu cầu khí nén của nhà máy	Khí nén khô, không dầu và không nước
	Đường kính ống: 8 mm
	Vật liệu ống: Ống PU
	Phạm vi áp suất: 0,4–0,6 MPa