Bạn đang tìm kiếm điều gì?
?
Máy HY-WD802 được trang bị hai trục chính tốc độ cao nhập khẩu, hệ thống quan sát kép đồng trục và vòng, đo chiều cao NCS tích hợp, phát hiện BBD và mài bánh xe tự động. Được trang bị hệ thống truyền động NSK và thước đo tuyến tính vòng kín Renishaw cho độ chính xác định vị tuyệt vời, máy thực hiện cắt chính xác trên các tấm wafer silicon, SiC, GaN và wafer hợp chất cho sản xuất hàng loạt thiết bị điện, IC và gốm quang điện tử.
Thương hiệu :
HYRNUSMã số sản phẩm :
HY-WD802Số lượng đặt hàng tối thiểu (MOQ) :
1 SetBảo hành :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceSự chi trả :
T/TThời gian giao hàng :
7-35 DaysNguồn gốc sản phẩm :
ChinaMáy cắt wafer tự động hoàn toàn 8 inch hai trục chính dùng để tách chip bán dẫn phức hợp.
Giới thiệu sản phẩm
HY-WD802 Máy cưa cắt lát mỏng tự động hoàn toàn hai trục chính 8 inch Máy được trang bị hai trục chính tốc độ cao nhập khẩu và hệ thống quan sát kép với chiếu sáng đồng trục và vòng. Máy tích hợp đầy đủ các chức năng tự động bao gồm đo chiều cao không tiếp xúc NCS, phát hiện lưỡi cắt gãy BBD theo thời gian thực và mài lưỡi cắt trên bánh xe.
Cả ba trục đều sử dụng các bộ phận truyền động chính xác NSK với hệ thống điều khiển vòng kín thang đo tuyến tính Renishaw để đạt được độ chính xác định vị vượt trội.
Tương thích với các loại wafer silicon, SiC, GaN và nhiều loại wafer hợp chất đặc biệt khác, máy này cung cấp khả năng cắt chính xác cao cho các thiết bị điện tử công suất, IC và gốm quang điện tử, hỗ trợ sản xuất hàng loạt tự động liên tục ổn định.
Tính năng sản phẩm
1. Cấu trúc và hoạt động của cơ thể
2. Chức năng cắt thông minh
3. Hiệu suất xử lý cao
Ứng dụng sản phẩm
Máy này thích hợp để gia công các tấm silicon, tấm silicon carbide, tấm gallium nitride, tấm nhôm titan carbide và các tấm hợp chất đặc biệt khác, cung cấp khả năng cắt chính xác cho các thiết bị điện tử công suất, mạch tích hợp (IC), chip nhớ, linh kiện quang học, thiết bị sợi quang và ngành công nghiệp gốm điện tử.
Thông số kỹ thuật
| KHÔNG. | Mục | Thông số kỹ thuật | Ghi chú |
| 1 | Kích thước gia công | Φ210 / Φ150mm | Tấm wafer 8 inch / 6 inch |
| 2 | Trục chính nhập khẩu | Tốc độ quay: 10000–60000 vòng/phút | Trục kép |
| Công suất: 1,8 KW | |||
| 3 | Trục X | Hành trình cắt: Tối đa 220mm | — |
| Chế độ vận hành: Động cơ servo | |||
| Độ phân giải: 0,001mm | |||
| Tốc độ cắt hạt lựu: 0,1–1000 mm/giây | |||
| 4 | Trục Y | Hành trình cắt: Tối đa 220mm | — |
| Chế độ vận hành: Động cơ servo + Hệ thống điều khiển tuyến tính khép kín hoàn toàn | |||
| Độ chính xác định vị lặp lại: 0,002/5mm | |||
| Độ phân giải: 0,0001mm | |||
| Sai số tích lũy: 0,003/220mm | |||
| Tốc độ cắt hạt lựu: 0,1–300mm/s | |||
| 5 | Trục Z | Hành trình hiệu dụng / Kích thước trục lưỡi dao: Tối đa 14,7mm / Φ58mm | Độ sâu cắt tối đa ≤4mm |
| Chế độ vận hành: Động cơ servo | |||
| Độ phân giải: 0,0001mm | |||
| Độ chính xác định vị lặp lại: 0,001mm | |||
| Kích thước trục lưỡi dao: Φ47.4mm ~ Φ54mm | |||
| Đường kính lưỡi dao tối đa: Φ58mm | |||
| Tốc độ tối đa: 100mm/s | |||
| 6 | Trục θ | Phạm vi xoay: Tối đa 380° | — |
| Chế độ vận hành: Động cơ truyền động trực tiếp DD | |||
| Độ chính xác định vị lặp lại: 3 giây cung | |||
| Độ phân giải: 0,0002° | |||
| 7 | Hệ thống căn chỉnh | Hệ thống chiếu sáng: Đồng trục + Đèn vòng | — |
| Độ phóng đại: Độ phóng đại thấp 0.75X, Độ phóng đại cao 7.5X | |||
| Kích thước chi tiết tối thiểu có thể nhìn thấy: 0,0005mm | |||
| 8 | Trọng lượng máy | 1200 kg ±5% | — |
| 9 | Kích thước máy | 1485mm × 1165mm × 1750mm (LWH) | — |
| 10 | Tổng mức tiêu thụ điện năng | 8KW | — |
Cấu hình chức năng
1. Chức năng phát hiện và cảnh báo vòng đo chiều cao
2. Tiếp tục cắt lát từ điểm dừng
3. Chức năng mài trục lưỡi dao
4. Chức năng lập kế hoạch trước khi tung xúc xắc
5. Chức năng tự động lấy nét
6. Chức năng cảm biến độ cao không tiếp xúc (NCS)
7. Chức năng tự động mài lưỡi dao trên bánh xe
8. Chức năng phát hiện độ mòn lưỡi dao
9. Hỗ trợ cắt các chi tiết hình chữ nhật và hình tròn.
10. Chế độ cắt tự động và chế độ cắt bán tự động
11. Chế độ cắt một chiều và chế độ cắt hai chiều
12. Chức năng tạm dừng kiểm tra có sẵn bất cứ lúc nào trong quá trình vận hành.
13. Giao diện vận hành tiếng Trung, hỗ trợ lưu trữ nhiều tập tin xử lý.
14. Bù trừ sai số vi mô thời gian thực toàn quy trình
15. Bảo vệ cảnh báo áp suất không khí thấp và áp suất nước thấp
16. Lập trình quy trình cho việc cắt phôi phức tạp
17. Chức năng nhận dạng hình ảnh tự động
Môi trường hoạt động
| Mục | Thông số kỹ thuật |
| Nhiệt độ môi trường xung quanh | Máy móc cần được lắp đặt trong môi trường có nhiệt độ khoảng 23°C, tốt nhất là phòng sạch có nhiệt độ ổn định. |
| Nguồn điện | Máy phát điện một pha 380V, công suất 8KW |
| Khí nén | Sử dụng khí nén có hiệu suất lọc ≥99,5% ở kích thước 0,01μm. Được trang bị máy sấy lạnh để khử ẩm. Áp suất khí: 0,6MPa–0,8MPa. Lượng khí tiêu thụ của trục chính: 200L/phút; Tổng lượng khí tiêu thụ của máy: 400L/phút. |
| Cắt nước | Nhiệt độ nước được kiểm soát ở nhiệt độ phòng ±2°C, áp suất 0,2–0,4MPa. Có thể sử dụng nước máy. Nước thải có thể được xả trực tiếp sau khi xử lý. Lượng nước tiêu thụ: 5L/phút. |
| Nước làm mát (Làm mát trục chính) | Hệ thống cấp nước tinh khiết tuần hoàn thông qua máy làm lạnh nước; nhiệt độ nước được kiểm soát ở nhiệt độ phòng ±2°C, áp suất 0,2–0,4MPa. |
| Môi trường xung quanh | Không lắp đặt máy gần quạt gió, lỗ thông hơi hoặc thiết bị tạo ra nhiệt độ cao và hơi dầu. |
Chi tiết sản phẩm
Máy cắt lát HY-WD802 tương thích với các tấm wafer silicon, silicon carbide, gallium nitride và composite nhôm-titan-carbon kích thước 6 inch/8 inch, dùng để cắt chính xác các mạch tích hợp và thiết bị điện tử. Được trang bị thước đo lưới vòng kín trục Y của Renishaw và hai trục chính nhập khẩu hoạt động ở tốc độ 10.000–60.000 vòng/phút, máy đạt tốc độ cắt tối đa 100 mm/giây. Với khả năng bù sai số vi mô thời gian thực, máy cho phép cắt bậc thang với độ chính xác cao.
Máy cắt wafer HY-WD802 tích hợp ba chức năng cốt lõi: đo chiều cao trực tuyến NCS, mài lưỡi cắt tự động và phát hiện gãy lưỡi cắt BBD. Máy cũng có tính năng căn chỉnh tự động, tiếp tục cắt sau khi gián đoạn và cảnh báo bất thường về áp suất nước/khí để giảm hiện tượng sứt mẻ lưỡi cắt và hư hỏng wafer, đảm bảo năng suất ổn định cho sản xuất hàng loạt.
Máy cưa cắt HY-WD802 phải được lắp đặt trong phòng sạch có kiểm soát nhiệt độ 23°C với nguồn điện 380V/8KW và áp suất khí nén 0,6–0,8 MPa. Nước làm mát và nước làm mát trục chính cần được kiểm soát nhiệt độ ổn định.
Máy HY-WD1201 có thể gia công phôi đường kính tối đa Φ300mm với hành trình X/Y 310mm cho khung máy 8–12 inch. Được trang bị cấu trúc chống rung chắc chắn, độ chính xác định vị trục Y 0.003mm và khả năng xoay trục θ 380°, máy có trục chính tốc độ 10000–60000 vòng/phút tương thích với lưỡi cưa Φ58mm. Với các tính năng tiêu chuẩn như kiểm tra lưỡi cưa, mài tự động, màn hình cảm ứng 15 inch và giao tiếp GEM, máy 115010201750mm/1000KG này thực hiện cắt chính xác các tấm silicon, SiC, gốm sứ, kính quang học và vật liệu từ tính.
Máy HY-WD801 xử lý phôi có đường kính tối đa Φ210mm với hành trình X/Y 220mm cho các tấm wafer có khung 6–8 inch. Máy có độ chính xác chuyển động, hiệu suất trục chính, bảo vệ lưỡi cắt và hệ thống điều khiển giống hệt với HY-WD1201, hỗ trợ tốc độ cấp liệu 0.1–1000mm/s, tốc độ trục chính 10000–60000rpm và lưỡi cắt tối đa Φ58mm. Với kích thước nhỏ gọn (1020x890x1750mm, 800KG) và diện tích chiếm chỗ nhỏ, máy được thiết kế để cắt chính xác các lô nhỏ và vừa các tấm wafer, linh kiện quang học và chất nền gốm.
HY-PD1202 phù hợp với khung lớn 300×300mm. Hệ thống điều khiển Y khép kín hoàn toàn duy trì độ chính xác 0,005mm trên toàn bộ hành trình 310mm, độ chính xác lặp lại Z đạt 0,003mm. Được trang bị cảm biến chiều cao không tiếp xúc, hệ thống quan sát kép, kiểm tra lưỡi cắt và trục chính chịu tải nặng. Bố trí trục chính được tối ưu hóa và khay vuông lớn giúp tăng hiệu suất lên 5%; hệ thống bôi trơn tập trung đảm bảo độ chính xác lâu dài, hoàn toàn tương thích với GEM cho các dây chuyền tự động hóa sản xuất hàng loạt.
Máy cưa HY-PD802 hỗ trợ khung tối đa 210×210mm. Hệ thống thước đo lưới Y khép kín hoàn toàn cho độ chính xác 0.005mm trong phạm vi hành trình 220mm, độ chính xác lặp lại trục Z đạt 0.003mm. Được trang bị cảm biến chiều cao lưỡi cưa không tiếp xúc, hệ thống quan sát kép, phát hiện gãy lưỡi cưa và trục chính kép nhập khẩu. Thiết bị nhỏ gọn, hoạt động êm ái với màn hình cảm ứng 15 inch hỗ trợ cắt hàng loạt, tự động căn chỉnh và tiếp tục từ điểm dừng, tương thích với giao thức GEM cho các dây chuyền bán tự động.
HY-PD801Đây là máy cưa cắt băng keo bán tự động một trục chính 8 inch với kích thước phôi tối đa 210×210mm. Khung máy chắc chắn và trục X được nâng cấp giúp tăng hiệu suất lên 5%. Được trang bị khung vuông, màn hình cảm ứng, thuật toán cắt độc quyền, cài đặt lưỡi tự động và phát hiện gãy lưỡi, máy mang lại độ chính xác ổn định và dễ bảo trì, đồng thời hỗ trợ giao thức GEM để tích hợp tự động vào nhà máy.
HY-PD1201 là máy cưa cắt băng đa chức năng hỗ trợ phôi có kích thước lên đến 12 inch. Trục Y được trang bị hệ thống điều khiển thang đo lưới khép kín hoàn toàn cho độ chính xác định vị vượt trội. Máy được trang bị tiêu chuẩn hệ thống đo chiều cao không tiếp xúc NCS, hệ thống quan sát kép đồng trục và vòng, cùng trục chính tốc độ cao nhập khẩu. Nhỏ gọn, ít tiếng ồn và thân thiện với người dùng, máy mang lại khả năng cắt chính xác cho tất cả các vật liệu cứng và giòn với đầy đủ các chức năng bao gồm cắt nhiều tấm, nhận dạng hình ảnh tự động và tiếp tục cắt sau khi dừng.
Máy cắt HY-WD601 được thiết kế cho các chi tiết bán dẫn 6 inch và các chi tiết cứng dễ vỡ. Được trang bị trục chính tốc độ cao nhập khẩu và hệ thống điều khiển vòng kín bằng lưới trục Y, máy mang lại hiệu suất cắt cực kỳ chính xác. Với hệ thống quan sát bằng đèn đồng trục và vòng, đo chiều cao NCS và phát hiện lưỡi cắt BBD, máy đáp ứng nhu cầu cắt chính xác đa vật liệu trong các ngành công nghiệp đóng gói bán dẫn, quang điện tử và năng lượng mới. Máy có màn hình cảm ứng, hệ thống bảo vệ an toàn toàn diện và nhiều chế độ cắt thông minh.
HY-IS1000 là thiết bị cắt và mài phôi SiC hai trạm, kết hợp quy trình chỉnh sửa bằng laser và tách lớp wafer. Thiết bị sử dụng laser xung cực ngắn để tạo ra các lớp chỉnh sửa bên trong phôi SiC, giúp tách wafer không để lại vết cưa, mang lại năng suất cao với TTV wafer đã mài ≤1,1 μm. Đây là thiết bị sản xuất hàng loạt thiết yếu cho việc sản xuất chất nền bán dẫn thế hệ thứ ba.
để lại lời nhắn
Quét mã để gửi đến WeChat :
Quét để gửi qua WhatsApp :
